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DMN6069SFGQ-7
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PowerDI3333-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:18 A

Rds On-漏源導通電阻:39 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:25 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.4 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

下降時間:3.3 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:5 ns

工廠包裝數(shù)量:2000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:12 ns

典型接通延遲時間:3.6 ns

介紹圖DMN6069SFGQ-7
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
DMN6069SFGQ-7N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)527.41 Kbytes共8頁DMN6069SFGQ-7的PDF文件地址 DMN6069SFGQ-7的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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