


| 制造商: | Infineon |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| RoHS: | |
| 技術(shù): | Si |
| 安裝風(fēng)格: | Through Hole |
| 封裝 / 箱體: | TO-220-3 |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| 通道數(shù)量: | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 55 V |
| Id-連續(xù)漏極電流: | 110 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 8 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2 V |
| Qg-柵極電荷: | 97.3 nC |
| 最小工作溫度: | - 55 C |
| 最大工作溫度: | + 175 C |
| Pd-功率耗散: | 150 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 封裝: | Tube |
| 商標(biāo): | Infineon Technologies |
| 配置: | Single |
| 高度: | 15.65 mm |
| 長度: | 10 mm |
| 產(chǎn)品類型: | MOSFET |
| 工廠包裝數(shù)量: | 1000 |
| 子類別: | MOSFETs |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 寬度: | 4.4 mm |
| 單位重量: | 2 g |
關(guān)注官方微信

天天IC網(wǎng)由深圳市四方好訊科技有限公司獨(dú)家運(yùn)營
天天IC網(wǎng) ( www.meandmyfour.com ) 版權(quán)所有?2014-2025 粵ICP備15059004號