制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管極性: N-Channel
技術(shù): Si
Id-連續(xù)漏極電流: 2.5 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Rds On-漏源導通電阻: -
工作頻率: 1 GHz
增益: 17 dB
輸出功率: 3 W
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerFLAT (5x5)
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
濕度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 14 W
產(chǎn)品類型: RF MOSFET Transistors
系列: PD55003L-E
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: LDMOS FET
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: 15 V
單位重量: 3 g
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