制造商: Toshiba
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 61.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 33 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.7 V
Qg-柵極電荷: 180 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: DTMOSIV
系列: TK62N60W
封裝: Tube
商標(biāo): Toshiba
配置: Single
下降時(shí)間: 15 ns
高度: 20.95 mm
長(zhǎng)度: 15.94 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 58 ns
工廠包裝數(shù)量: 30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 310 ns
典型接通延遲時(shí)間: 115 ns
寬度: 5.02 mm
單位重量: 6 g
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