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FP75R12KT4_B15 英飛凌IGBT模塊

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新聞詳細

產(chǎn)品屬性

屬性值

制造商:

Infineon

產(chǎn)品種類:

IGBT 模塊

RoHS:

 

產(chǎn)品:

IGBT Silicon Modules

配置:

3-Phase Inverter

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO:

1.2 kV

集電極射極飽和電壓:

1.85 V

25 C的連續(xù)集電極電流:

75 A

柵極射極漏泄電流:

100 nA

Pd-功率耗散:

385 W

最小工作溫度:

- 40 C

最大工作溫度:

+ 150 C

封裝:

Tray

商標:

Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓:

20 V

安裝風格:

Chassis Mount

產(chǎn)品類型:

IGBT Modules

系列:

工廠包裝數(shù)量:

10

子類別:

IGBTs

技術(shù):

Si

商標名:

零件號別名:

SP000408728 FP75R12KT4B15BOSA1

單位重量:

300 g

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