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產(chǎn)品屬性

屬性值

制造商:

Infineon

產(chǎn)品種類:

IGBT 晶體管

RoHS:

技術(shù):

Si

封裝 / 箱體:

TO-247-3

安裝風(fēng)格:

Through Hole

配置:

Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:

650 V

集電極—射極飽和電壓:

1.35 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:

- 20 V, 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:

80 A

Pd-功率耗散:

274 W

最小工作溫度:

- 40 C

最大工作溫度:

+ 175 C

系列:

封裝:

Tube

商標(biāo):

Infineon Technologies

柵極—射極漏泄電流:

100 nA

高度:

20.7 mm

長度:

15.87 mm

工作溫度范圍:

- 40 C to + 175 C

產(chǎn)品類型:

IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:

240

子類別:

IGBTs

商標(biāo)名:

寬度:

5.31 mm

零件號別名:

SP001319682 IKW50N65ES5XKSA1

單位重量:

38 g