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產(chǎn)品屬性

屬性值

制造商:

Infineon

產(chǎn)品種類:

IGBT 晶體管

RoHS:

技術(shù):

Si

封裝 / 箱體:

TO-247-3

安裝風(fēng)格:

Through Hole

配置:

Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:

1.2 kV

集電極—射極飽和電壓:

2.05 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:

- 20 V, 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:

80 A

Pd-功率耗散:

483 W

最小工作溫度:

- 40 C

最大工作溫度:

+ 175 C

系列:

封裝:

Tube

商標:

Infineon Technologies

集電極最大連續(xù)電流 Ic:

80 A

柵極—射極漏泄電流:

600 nA

產(chǎn)品類型:

IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:

240

子類別:

IGBTs

商標名:

零件號別名:

SP000674416 IKW4N12H3XK IKW40N120H3FKSA1

單位重量:

38 g