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制造商:
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onsemi
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產(chǎn)品種類:
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IGBT 晶體管
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技術(shù):
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Si
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封裝 / 箱體:
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TO-247-3
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安裝風(fēng)格:
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Through Hole
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配置:
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Single
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集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:
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650 V
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集電極—射極飽和電壓:
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1.6 V
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柵極/發(fā)射極最大電壓:
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- 20 V, 20 V
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在25 C的連續(xù)集電極電流:
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80 A
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Pd-功率耗散:
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238 W
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最小工作溫度:
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- 55 C
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最大工作溫度:
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+ 175 C
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資格:
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AEC-Q101
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封裝:
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Tube
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商標(biāo):
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onsemi
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產(chǎn)品類型:
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IGBT Transistors
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工廠包裝數(shù)量:
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30
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子類別:
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IGBTs
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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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