介紹
新的Vishay Siliconix芯片fet的無引線1206-8
封裝具有與流行的1206-8電阻器相同的輪廓
而電容器卻能提供真正電力的所有性能
半導(dǎo)體器件。1206-8 ChipFET具有相同的功能
腳印作為身體的小腳 TSOP-6，并且可以
為了可視化起見，可以將其視為無引線TSOP-6
板面積大，但其熱工性能值得比較
使用更大的SO-8。
本技術(shù)筆記討論雙芯片場(chǎng)效應(yīng)管1206-8
引腳，封裝輪廓，襯墊圖案，評(píng)估板
布局和熱性能。
......
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產(chǎn)品屬性
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屬性值
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制造商:
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Vishay
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產(chǎn)品種類:
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MOSFET
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RoHS:
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REACH - SVHC:
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詳細(xì)信息
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技術(shù):
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Si
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安裝風(fēng)格:
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SMD/SMT
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封裝 / 箱體:
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ChipFET-8
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晶體管極性:
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P-Channel
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通道數(shù)量:
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2 Channel
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Vds-漏源極擊穿電壓:
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20 V
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Id-連續(xù)漏極電流:
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4 A
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Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
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100 mOhms
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Vgs - 柵極-源極電壓:
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- 8 V, + 8 V
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Vgs th-柵源極閾值電壓:
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400 mV
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Qg-柵極電荷:
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11 nC
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最小工作溫度:
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- 55 C
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最大工作溫度:
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+ 150 C
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Pd-功率耗散:
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3.1 W
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通道模式:
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Enhancement
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商標(biāo)名:
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系列:
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封裝:
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Reel
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封裝:
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Cut Tape
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商標(biāo):
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Vishay Semiconductors
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配置:
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Dual
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下降時(shí)間:
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6 ns
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正向跨導(dǎo) - 最小值:
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9.5 S
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高度:
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1.1 mm
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長(zhǎng)度:
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3.05 mm
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產(chǎn)品類型:
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MOSFET
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上升時(shí)間:
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32 ns
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工廠包裝數(shù)量:
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3000
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子類別:
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MOSFETs
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晶體管類型:
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2 P-Channel
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典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
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25 ns
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典型接通延遲時(shí)間:
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10 ns
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寬度:
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1.65 mm
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零件號(hào)別名:
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SI5935CDC-GE3 SIR814DP-T1-GE3
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單位重量:
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85 mg
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