LM3481QMMX/NOPB適用于升壓、SEPIC 和反激式直流/直流轉(zhuǎn)換器的高效控制器
產(chǎn)品型號：LM3481QMMX/NOPB
產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器
產(chǎn)品封裝：VSSOP10
產(chǎn)品功能：高效控制器
LM3481QMMX/NOPB特性
●符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準：
器件溫度 1 級：-40°C 至 +125°C，TA
●10 引腳 VSSOP 封裝
●具備 1A 峰值電流能力的內(nèi)部推挽驅(qū)動器
●電流限值和熱關(guān)斷
●通過電容器和電阻器優(yōu)化的頻率補償
●內(nèi)部軟啟動
●電流模式運行
●具備遲滯的可調(diào)節(jié)欠壓鎖定
●輕負載狀態(tài)下的脈沖跳躍
●主要規(guī)格
2.97V 至 48V 的寬電源電壓范圍
100kHz 至 1MHz 的可調(diào)且可同步時鐘頻率范圍
±1.5%（過熱）內(nèi)部基準
10μA 關(guān)斷電流（過熱保護）
●使用 LM3481-Q1 并借助 WEBENCH Power Designer 創(chuàng)建定制設計
LM3481QMMX/NOPB說明
LM3481QMMX/NOPB是一款適用于開關(guān)穩(wěn)壓器的多功能低側(cè) N-FET 高性能控制器。該器件設計用于升壓、SEPIC 和反激式轉(zhuǎn)換器以及需要將低側(cè) FET 作為初級開關(guān)的拓撲。LM3481-Q1 器件可以在很高的開關(guān)頻率下工作，用于減小整體解決方案尺寸。通過使用單個外部電阻器，或?qū)?LM3481-Q1 器件與外部時鐘同步，可將該器件的開關(guān)頻率調(diào)整為 100kHz 到 1MHz 之間的任意值。除了逐周期電流限制外，電流模式控制還可提供卓越的帶寬和瞬態(tài)響應?？梢允褂脝蝹€外部電阻器對電流限值進行編程。
LM3481QMMX/NOPB 器件具有內(nèi)置保護功能，例如熱關(guān)斷、短路保護和過壓保護。節(jié)能關(guān)斷模式可以將總電源電流降低至 5μA，并支持電源時序控制。內(nèi)部軟啟動會限制啟動時的浪涌電流。集成電流斜率補償可簡化設計，如果特定應用需要，可以使用單個電阻器來增加該電流斜率補償。
LM3481QMMX/NOPB器件采用固定頻率、脈寬調(diào)制 (PWM) 電流模式控制架構(gòu)。在典型應用電路中，流經(jīng)外部 MOSFET 的峰值電流通過外部檢測電阻進行檢測。該電阻器上的電壓被饋送到 ISEN 引腳。然后，該電壓會進行電平轉(zhuǎn)換并被饋送到 PWM 比較器的正輸入端。輸出電壓也通過外部反饋電阻分壓器網(wǎng)絡進行檢測，并被饋送到誤差放大器 (EA) 負輸入端（反饋引腳，F(xiàn)B）。誤差放大器（COMP 引腳）的輸出會添加到斜率補償斜坡中，然后被饋送到 PWM 比較器的負輸入端。
在任何開關(guān)周期開始時，振蕩器都會使用 SET/消隱和開關(guān)邏輯塊設置 RS 鎖存器。這會在 DR 引腳（外部 MOSFET 的柵極）上強制產(chǎn)生一個高電平信號，并且外部 MOSFET 會導通。當 PWM 比較器正輸入端上的電壓超過負輸入端上的電壓時，RS 鎖存器會復位并且外部 MOSFET 會關(guān)斷。
檢測電阻上的電壓通常包含雜散噪聲尖峰，如圖 6-1 所示。這些尖峰可以強制 PWM 比較器過早復位 RS 鎖存器。為了防止這些尖峰復位鎖存器，IC 內(nèi)部的消隱電路會防止 PWM 比較器在鎖存器設置后的短時間內(nèi)復位鎖存器。此持續(xù)時間稱為消隱時間，通常為 250ns，并在電氣特性電氣特性電氣特性 部分中指定為 tmin (on)。
在極輕負載或空載條件下，當外部 MOSFET 導通時，在消隱時間內(nèi)提供給輸出電容器的能量會大于提供給負載的能量。LM3481QMMX/NOPB內(nèi)部的過壓比較器通過檢測反饋（FB 引腳）電壓和復位 RS 鎖存器，防止輸出電壓在這些條件下增加。鎖存器保持復位狀態(tài)，直到輸出衰減到標稱值。因此，在輕負載時工作頻率會降低，從而實現(xiàn)出色的效率。
封裝圖
