AT25SF081B-MAHD-T 主要特性
? 兼容串行外設接口 (SPI)? 支持 SPI 模式 0 和 3 (1,1,1)
? 支持雙輸入和雙輸出操作 (1,1,2)? 支持四輸入和四輸出操作 (1,1,4)
? 支持四 XiP（連續(xù)讀取模式）操作（1,4,4 和 0,4,4）? 最大工作頻率為 108 MHz
? 提供兩種選項：? 2.7 V ~ 3.6 V 電源電壓? 2.5 V ~ 3.6 V 電源電壓? 支持串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP、JDES216B)
? OTP 存儲器? 三個受保護的可編程安全寄存器頁（頁大?。?56 字節(jié)）
? 64 位工廠可編程 UID 寄存器? 硬件寫保護（WP 引腳）? 軟件寫保護（可編程非易失性控制寄存器）
? 編程和擦除暫停和恢復? 字節(jié)編程大?。鹤疃?256 字節(jié)? 擦除大小和持續(xù)時間?統(tǒng)一的 4 KB 塊擦除（典型值 70 ms）
? 統(tǒng)一的 32 KB 塊擦除（典型值 150 ms）? 統(tǒng)一的 64 KB 塊擦除（典型值 250 ms）? 全芯片擦除（典型值 4 秒）
? 低功耗? 待機電流（25
產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Renesas Electronics
產品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: UDFN-8
系列: AT25SF081B
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Renesas / Dialog
產品類型: NOR Flash
5000
子類別: Memory & Data Storage
供電系統(tǒng)無處不在。近年來，隨著新能源汽車及其綠色能源和儲能需求的增加，電力設備受到市場的更多關注。8月28日至30日，國際電力元件、可再生資源管理展PCIM在深圳國際會展中心舉行。在Asia2024上，國內外很多功率半導體廠商都展示了全新的技術和產品。在這次展覽中，電子發(fā)燒友參觀了東芝半導體的展位，了解了東芝在功率設備和第三代半導體方面的新產品和技術。
大功率設備IEGT
在本次展會上，東芝展示了其全新的大功率設備IEGT(格柵注入加強晶體管)，在3300V到6500V的規(guī)格中增加了多種產品，包括ST1000GXH35，以滿足不同客戶和不同應用的需求，包括ST1000GXH35、ST1500GXH35A等型號。
根據(jù)東芝電子元器件(上海)有限公司技術部副總監(jiān)屈興國的說法，IEGT是東芝在20世紀90年代注冊的專利名稱，是一種基于IGBT的功率器件技術，主要用于柔性DC輸變電、火車牽引、FW80321M600高壓變頻器、風力發(fā)電等行業(yè)。
在高壓應用中，由于發(fā)射極側N基區(qū)的電阻，傳統(tǒng)IGBT結構形成的阻隔電壓會導致更高的通斷消耗。針對這種情況，東芝在IGBT的基礎上開發(fā)了強化柵極注入技術，創(chuàng)造了IEGT。根據(jù)東芝官網的描述，該結構增加了深寬管溝柵的電級，因此越過發(fā)射極電極的阻抗會增大，有效抑制了載流子的穿越。因此，它會導致載流子的積累。N 在發(fā)射極電級側，基區(qū)的載流子分布會持續(xù)增加。我們稱這種載流子的注入積累效果為注入增強效果（Injection Enhancement Effect）。采用此柵結構后，即使完成了耐高壓，也能有效地抑制電壓下降的增大，從而降低通斷消耗。
現(xiàn)場顯示的大功率IEGT采用PPI壓接封裝，最高電壓等級為6500V，最大電流等級為3000A。另一方面，使用PPI壓接封裝的IEGT有兩種類型，即內置二極管及其無二極管，其關鍵區(qū)別在于應用電流要求。例如，屈興國在125mm平臺的PPI封裝中共有42個小方塊，例如中間放置30個IEGT，其他12個方塊放置二極管，那么最大電流可以達到2000A。若客戶對3000A等電流要求較高，則需將IEGT芯片全部放入42個格子中，并將所需的二極管與外圍相匹配。
對于客戶來說，壓接式封裝設備可能很難應用。關于這個問題，東芝和第三方合作開發(fā)了半橋拓撲的IEGT套接部件方案，使用了兩個4.5。kV內置二極管的壓接式IEGT，為設備提供5KN上下的壓力，適用于新用戶進行雙脈沖試驗，方便用戶快速了解東芝設備的特點，從而縮短開發(fā)進度，具有高可靠性和高效率。
另外，東芝還展出了4.5 雙柵極RCkV-IEGT，主要特點是可以減少IEGT模式中的關閉消耗，減少二極管模式中的反向恢復消耗。結合柵極控制系統(tǒng)，總開關損耗可以在具體測量值中減少16%，但通斷消耗沒有增加。
碳化硅模塊及內置SBD的碳化硅MOSFET
據(jù)了解，東芝在碳化硅領域的布局是先做碳化硅模塊，再推廣單管產品。碳化硅模塊產品的量產時間相對較早，目前主要用于軌道交通等牽引。目前，東芝生產的碳化硅模塊產品已覆蓋1200V、1700V、2200V、3300V電壓等級，并采用了一種名為iXPLV的銀燒結技術。
在碳化硅MOSFET上，東芝已經迭代到第三代碳化硅MOSFET產品，主要用于充電樁、數(shù)據(jù)中心、新能源發(fā)電、電機等。與其他公司產品相比，東芝碳化硅MOSFET最大的區(qū)別是內置SBD，而不是應用本身的PN結二極管。該結構的優(yōu)點是內置SBD通態(tài)電壓較低，因此電流通過SBD，從而抑制導通電阻的早期漂移和MOSFET的雙極衰退，大大提高了設備的穩(wěn)定性。
在第二代的基礎上，東芝第三代碳化硅MOSFET通過優(yōu)化模塊結構，使RDS能夠代表斷裂損耗和開關損耗之間的關系。(ON)×Qgd，與東芝第二代碳化硅MOSFET相比，目前已經下降了80%。與此同時，東芝第三代碳化硅MOSFET柵源的控制電壓范圍為-10-25 V，與其它公司產品相比，電壓范圍更廣，從而提高了方便客戶的柵極驅動設計。
針對近年來流行的電動汽車市場，東芝在各種車輛規(guī)格和分立器件上一直有穩(wěn)定的出貨量；在碳化硅層面，屈興國表示，東芝在中國更傾向于晶圓銷售模式，如向模塊廠商銷售碳化硅晶圓進行包裝，這也是應對碳化硅器件市場卷入的一種方式。