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BSP88L6327HTSA1 Datasheet(PDF)
產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: GaN 場效應晶體管
發(fā)貨限制：
Mouser 目前在您所在地區(qū)不銷售該產(chǎn)品。
RoHS:
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 240 V
Id-連續(xù)漏極電流: 350 mA
Rds On-漏源導通電阻: 6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
工作溫度: - 55 C
工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 3.5 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產(chǎn)品: MOSFET Small Signals
產(chǎn)品類型: GaN FETs
上升時間: 3.5 ns
系列: BSP88
1000
子類別: Transistors
技術: GaN
典型關閉延遲時間: 17.9 ns
典型接通延遲時間: 3.6 ns
零件號別名: SP000089217 BSP88L6327HTSA1
單位重量: 112 mg
深圳市福田區(qū)華強北路1019華強廣場A座
手機：18124047120
（微信同號）
電話：0755-83137789
Q Q： 3004257102
郵件：
