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BSP89L6327 Datasheet(PDF)
產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續(xù)漏極電流: 260 mA
Rds On-漏源導通電阻: 12 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
工作溫度: - 55 C
工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 6 ns
高度: 1.6 mm
長度: 6.5 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signals
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時間: 6 ns
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 67 ns
典型接通延遲時間: 5 ns
寬度: 3.5 mm
單位重量: 250.200 mg
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