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ISP75DP06LMXTSA1 Datasheet(PDF)
ISP75DP06LMXTSA1 規(guī)格書
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制造商:
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Infineon
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產(chǎn)品種類:
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MOSFET
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RoHS:
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詳細信息
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技術(shù):
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Si
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安裝風格:
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SMD/SMT
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封裝 / 箱體:
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SOT-223-4
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晶體管極性:
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P-Channel
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通道數(shù)量:
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1 Channel
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Vds-漏源極擊穿電壓:
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60 V
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Id-連續(xù)漏極電流:
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1.1 A
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Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
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750 mOhms
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Vgs - 柵極-源極電壓:
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- 20 V, + 20 V
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Vgs th-柵源極閾值電壓:
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1 V
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Qg-柵極電荷:
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4 nC
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最小工作溫度:
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- 55 C
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最大工作溫度:
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+ 150 C
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Pd-功率耗散:
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4.2 W
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通道模式:
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Enhancement
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封裝:
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Reel
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封裝:
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Cut Tape
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封裝:
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MouseReel
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商標:
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Infineon Technologies
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配置:
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Single
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下降時間:
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14 ns
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正向跨導(dǎo) - 最小值:
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1.8 S
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產(chǎn)品類型:
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MOSFETs
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上升時間:
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5 ns
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系列:
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工廠包裝數(shù)量:
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1000
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子類別:
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Transistors
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晶體管類型:
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1 P-Channel
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典型關(guān)閉延遲時間:
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40 ns
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典型接通延遲時間:
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3 ns
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零件號別名:
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ISP75DP06LM SP004987274
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單位重量:
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715.250 mg
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