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消息稱臺積電3nm以下制程報價下月上漲

全球AI熱潮持續(xù)升溫，半導體行業(yè)迎來新一輪景氣周期。據(jù)消息，受AI芯片需求激增影響，臺積電3納米以下先進制程產(chǎn)能持續(xù)吃緊，公司已開始與客戶溝通，計劃從2026年1月起連續(xù)四年上調(diào)先進制程報價。

多家研究機構(gòu)指出，此次漲價幅度預計在3%-10%之間，具體將根據(jù)客戶采購等級和情況而定。值得注意的是，2026年第一季度正值英偉達、AMD等大客戶推出新一代AI平臺的關(guān)鍵時點，加上博通等廠商積極拓展AI應用領(lǐng)域，使得3納米以下制程需求持續(xù)旺盛，臺積電有望實現(xiàn)"淡季不淡"的市場表現(xiàn)。

業(yè)內(nèi)分析認為，這輪漲價潮主要受兩大因素驅(qū)動：一方面是AI芯片市場需求暴增，據(jù)報道，英偉達CEO黃仁勛11月親自造訪臺積電，對更先進AI芯片提出迫切需求；另一方面則是生產(chǎn)成本持續(xù)上升和產(chǎn)能供不應求的市場現(xiàn)狀。

臺積電對此回應稱："公司定價策略始終以戰(zhàn)略為導向，將持續(xù)與客戶緊密合作以提供價值。"公司已預定于2026年1月15日召開法人說明會，屆時將詳細說明2026年第一季度展望及價格調(diào)整等關(guān)鍵議題。隨著AI應用場景不斷拓展，半導體行業(yè)這場因AI引發(fā)的"軍備競賽"或?qū)⒊掷m(xù)升級。

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中微公司擬收購眾硅科技加碼半導體設(shè)備布局

近日，中微公司正籌劃通過發(fā)行股份方式收購杭州眾硅電子科技有限公司控股權(quán)，并募集配套資金，以進一步完善其半導體設(shè)備戰(zhàn)略布局。根據(jù)公司公告，本次交易旨在強化中微公司在核心技術(shù)領(lǐng)域的完整性，打造全球一流的半導體設(shè)備平臺，并為客戶提供更具競爭力的成套工藝解決方案。

眾硅科技成立于2018年，總部位于杭州，專注于高端化學機械平坦化（CMP）設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，主要產(chǎn)品為12英寸CMP設(shè)備，并可提供整體CMP解決方案。

目前，交易各方正積極推進相關(guān)工作。鑒于事項尚存不確定性，為維護投資者利益、避免股價異常波動，中微公司股票將繼續(xù)停牌。待交易方案明確后，公司將及時披露進展并申請復牌。此前，公司已于12月18日發(fā)布停牌公告，正式啟動本次資產(chǎn)重組程序。

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寧德時代：鈉電池明年將大規(guī)模應用

寧德時代在今日于福建寧德舉行的供應商大會上宣布，公司將于2026年在換電、乘用車、商用車及儲能等多個領(lǐng)域大規(guī)模推廣應用鈉離子電池，推動形成“鈉鋰雙星閃耀”的新格局。

今年4月21日，寧德時代在首個超級科技日上正式發(fā)布全球首款實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的鈉離子電池品牌——“鈉新”，標志著鈉電產(chǎn)品進入從0到N的廣泛應用階段。該品牌涵蓋“鈉新動力電池”和“鈉新-24V重卡啟駐一體蓄電池”兩大產(chǎn)品線，工作溫度范圍覆蓋零下40℃至零上70℃，具備優(yōu)異的全溫域適應能力。

據(jù)寧德時代介紹，鈉新乘用車電池可有效解決極寒環(huán)境下車輛性能衰減問題。以軸距2.95米的典型車型為例，在混動模式下純電續(xù)航可突破200公里，純電車型續(xù)航更將超過500公里，充分滿足低溫場景下的日常通勤與出行需求。

公司此前在10月20日的投資者關(guān)系活動中指出，鈉電池在低溫性能、安全性和碳足跡方面優(yōu)勢顯著，適用于廣泛的乘用與商用動力場景。目前，“鈉新”電池已通過新版國家標準認證，成為全球首款獲此認證的鈉離子電池，相關(guān)乘用車動力電池正與客戶協(xié)同推進開發(fā)與落地，進展順利。

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HBM3E繼續(xù)火？三星電子、SK海力士聯(lián)合漲價20%

行業(yè)罕見逆勢漲價

在存儲芯片行業(yè)新一代產(chǎn)品發(fā)布前價格通常下調(diào)的規(guī)律下，三星電子與SK海力士近日宣布將HBM3E內(nèi)存明年價格上調(diào)近20%，引發(fā)市場關(guān)注。這一反?，F(xiàn)象背后，是英偉達、谷歌、亞馬遜等AI巨頭對高性能內(nèi)存的迫切需求。隨著AI加速器訂單激增，HBM3E供需失衡已成定局。

需求端：AI算力競賽推波助瀾

據(jù)業(yè)界分析，此次漲價直接受AI加速器廠商訂單量擴張驅(qū)動。HBM3E作為當前AI服務(wù)器核心組件，其高帶寬特性完美契合大模型訓練需求。尤其值得注意的是，除英偉達外，多家全球科技企業(yè)計劃于2025年推出搭載HBM3E的新品，導致需求呈現(xiàn)"不降反增"的異常曲線。

供應端：HBM4轉(zhuǎn)型期的產(chǎn)能博弈

盡管三星、SK海力士已開始重點布局下一代HBM4生產(chǎn)，但產(chǎn)業(yè)過渡期仍存在供給缺口。業(yè)內(nèi)人士預測，2025年HBM4市場占比將達55%，但第三季度前HBM3E仍將承載近45%的需求。存儲大廠在產(chǎn)能分配上的戰(zhàn)略調(diào)整，進一步加劇了HBM3E的供應緊張。

市場影響：存儲產(chǎn)業(yè)鏈迎來新變局

此次漲價已帶動DRAM等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品價格跟漲，存儲半導體行業(yè)整體景氣度提升。證券機構(gòu)指出，HBM3E的溢價狀態(tài)或持續(xù)至HBM4產(chǎn)能完全釋放，這為三星、SK海力士等廠商帶來業(yè)績增長新動能。對于AI企業(yè)而言，短期內(nèi)需消化硬件成本上升壓力，但長遠看，HBM技術(shù)迭代將推動算力效率的階梯式躍升。

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