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IGBT模塊

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供 FF200R12KS4 英飛凌IGBT模塊 電磁爐模塊

  • FF200R12KS49.992026-05-26 05:04
  • Infineon
  • 1
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東莞市鴻玖電子有限公司

  • 會員資質：

    14

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：未審核
  • 經營品牌：Fujitsu Infineon IR Ixys Mitsubishi Semikron
  • 聯(lián)　系人：羅明
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0769-33369975
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13556641230
  • 地　　址：東莞市東城區(qū)東城中路賽格電子市場1D009
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FF200R12KS4數據手冊
FF200R12KS4參數信息
參數參數值
制造商
Infineon
產品種類
IGBT 模塊
RoHS
否
產品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
3.2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
275 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
Pd-功率耗散
1.4 kW
封裝 / 箱體
62 mm
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 125 C
封裝
Tray
高度
30.5 mm
長度
106.4 mm
寬度
61.4 mm
商標
Infineon Technologies
安裝風格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產品類型
IGBT Modules
工廠包裝數量
10
子類別
IGBTs
零件號別名
FF200R12KS4HOSA1 SP000100707
商品詳情

現貨,德國產,英飛凌品牌,200A/1200V/2組 全新原裝IGBT模塊,高頻加熱設備專用產品,QQ:251893474

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