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IGBT模塊

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供 FF150R12RT4 英飛凌IGBT模塊 電磁爐模塊

  • FF150R12RT49.992026-05-03 05:21
  • Infineon
  • 1
  • 389
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)峤辉儍r(jià)信息
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
請(qǐng)確認(rèn)聯(lián)系方式,3分鐘內(nèi)即可給您回復(fù)
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供應(yīng)商信息

東莞市鴻玖電子有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì):

    14

  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:未審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌:Fujitsu Infineon IR Ixys Mitsubishi Semikron
  • 聯(lián) 系人:羅明
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:0769-33369975
  • 電子郵件:[email protected]
  • 手  機(jī):13556641230
  • 地  址:東莞市東城區(qū)東城中路賽格電子市場(chǎng)1D009
推薦的產(chǎn)品
暫無(wú)推薦產(chǎn)品信息
FF150R12RT4數(shù)據(jù)手冊(cè)
FF150R12RT4參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類(lèi)
IGBT 模塊
RoHS
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
1.75 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
100 nA
Pd-功率耗散
790 W
封裝 / 箱體
Module
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 150 C
封裝
Tray
商標(biāo)
Infineon Technologies
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類(lèi)型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類(lèi)別
IGBTs
零件號(hào)別名
FF150R12RT4HOSA1 SP000624908
商品詳情

現(xiàn)貨,產(chǎn)地:德國(guó),品牌:英飛凌,150A/1200V2組,全新正品,,咨價(jià)QQ:251893474

本公司主要經(jīng)營(yíng)艾賽斯(IXYS),三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、東芝(TOSHIBA)、三社(SanRex)、英達(dá)、西門(mén)康(SEMIKRON)、西門(mén)子(SIEMENS)、歐派克(EUPEC)Infineon,IR、等功率模塊,品種型號(hào)繁多,歡迎來(lái)人來(lái)電垂詢,或上門(mén)選購(gòu)!

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