北京浩誠(chéng)嘉泰科技有限公司
| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
|---|---|
|
制造商
|
Infineon
|
|
產(chǎn)品種類
|
IGBT 模塊
|
|
RoHS
|
是
|
|
產(chǎn)品
|
IGBT Silicon Modules
|
|
配置
|
Dual
|
|
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
|
600 V
|
|
集電極—射極飽和電壓
|
1.95 V
|
|
在25 C的連續(xù)集電極電流
|
130 A
|
|
柵極—射極漏泄電流
|
400 nA
|
|
Pd-功率耗散
|
445 W
|
|
封裝 / 箱體
|
32 mm
|
|
最小工作溫度
|
- 40 C
|
|
最大工作溫度
|
+ 125 C
|
|
封裝
|
Tray
|
|
高度
|
30.5 mm
|
|
長(zhǎng)度
|
94 mm
|
|
寬度
|
34 mm
|
|
商標(biāo)
|
Infineon Technologies
|
|
安裝風(fēng)格
|
Chassis Mount
|
|
柵極/發(fā)射極最大電壓
|
20 V
|
|
產(chǎn)品類型
|
IGBT Modules
|
|
工廠包裝數(shù)量
|
10
|
|
子類別
|
IGBTs
|
|
零件號(hào)別名
|
BSM100GB60DLCHOSA1 SP000100470
|
|
單位重量
|
160 mg
|
關(guān)注官方微信

天天IC網(wǎng)由深圳市四方好訊科技有限公司獨(dú)家運(yùn)營(yíng)
天天IC網(wǎng) ( www.meandmyfour.com ) 版權(quán)所有?2014-2025 粵ICP備15059004號(hào)