深圳市淘芯電子有限公司


| 制造商: | Infineon | |
| 產(chǎn)品種類: | IGBT 模塊 | |
| RoHS: | 否 | |
| 商標(biāo): | Infineon Technologies | |
| 產(chǎn)品: | IGBT Silicon Modules | |
| 配置: | Half Bridge | |
| 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: | 1200 V | |
| 集電極—射極飽和電壓: | 2.5 V | |
| 在25 C的連續(xù)集電極電流: | 145 A | |
| 柵極—射極漏泄電流: | 400 nA | |
| 最大工作溫度: | + 150 C | |
| 封裝 / 箱體: | Half Bridge1 | |
| 柵極/發(fā)射極最大電壓: | 20 V | |
| 最小工作溫度: | - 40 C | |
| 安裝風(fēng)格: | Screw | |
| Pd-功率耗散: | 700 W | |
| 工廠包裝數(shù)量: | 10 |
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