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電源模塊

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BSM100GB60DLC

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深圳市淘芯電子有限公司

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  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：HiSilicon Semtech
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  • 聯(lián)系電話：0755-82796668
  • 電子郵件：[email protected]
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BSM100GB60DLC參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
RoHS
是
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
600 V
集電極—射極飽和電壓
1.95 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
130 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
Pd-功率耗散
445 W
封裝 / 箱體
32 mm
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 125 C
封裝
Tray
高度
30.5 mm
長(zhǎng)度
94 mm
寬度
34 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
安裝風(fēng)格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類別
IGBTs
零件號(hào)別名
BSM100GB60DLCHOSA1 SP000100470
單位重量
160 mg
商品詳情
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息
商標(biāo): Infineon Technologies
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.95 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 130 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: 34MM
封裝: Tray
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風(fēng)格: Screw
Pd-功率耗散: 445 W
工廠包裝數(shù)量: 10

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