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BSM100GD120DN2

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深圳市淘芯電子有限公司

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BSM100GD120DN2參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
RoHS
是
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
Pd-功率耗散
680 W
封裝 / 箱體
EconoPACK 3A
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 150 C
封裝
Tray
高度
17 mm
長度
122 mm
寬度
62 mm
商標
Infineon Technologies
安裝風格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類別
IGBTs
零件號別名
BSM100GD120DN2BOSA1 SP000100365
商品詳情
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
商標: Infineon Technologies
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 150 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
最大工作溫度: + 150 C
封裝 / 箱體: EconoPACK 3A
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
Pd-功率耗散: 680 W
工廠包裝數(shù)量: 10

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