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BSM200GB60DLC

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深圳市淘芯電子有限公司

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BSM200GB60DLC參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
RoHS
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
600 V
集電極—射極飽和電壓
1.95 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
230 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
Pd-功率耗散
445 W
封裝 / 箱體
32 mm
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 125 C
封裝
Tray
高度
30.5 mm
長(zhǎng)度
94 mm
寬度
34 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
安裝風(fēng)格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類別
IGBTs
零件號(hào)別名
BSM200GB60DLCHOSA1 SP000100475
單位重量
160 g
商品詳情
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS:符合RoHS 詳細(xì)信息商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.95 V在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:34MM封裝:Tray柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:445 W工廠包裝數(shù)量:10

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