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FP50R12KT3

  • FP50R12KT3請?jiān)儍r2026-06-17 05:58
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供應(yīng)商信息

深圳市淘芯電子有限公司

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  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：HiSilicon Semtech
  • 聯(lián)　系人：鄭小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-82796668
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18926036359
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)新洲南文化創(chuàng)意園A座513
推薦的產(chǎn)品
暫無推薦產(chǎn)品信息
FP50R12KT3數(shù)據(jù)手冊
FP50R12KT3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
RoHS
是
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
75 A
封裝 / 箱體
Econo 3
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 125 C
封裝
Tray
高度
17 mm
長度
122 mm
寬度
62 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
安裝風(fēng)格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類別
IGBTs
零件號別名
FP50R12KT3BOSA1 SP000100445
單位重量
300 g
商品詳情
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 75 A
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: Econo 3
封裝: Tray
商標(biāo): Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風(fēng)格: Screw
工廠包裝數(shù)量: 10

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