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電源模塊

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FP100R12KT4

  • FP100R12KT4請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-05-27 05:47
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深圳市淘芯電子有限公司

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  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：HiSilicon Semtech
  • 聯(lián)　系人：鄭小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-82796668
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18926036359
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)新洲南文化創(chuàng)意園A座513
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FP100R12KT4參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
2.1 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
100 A
柵極—射極漏泄電流
100 nA
Pd-功率耗散
5.15 W
封裝 / 箱體
Econo 3
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 150 C
封裝
Tray
高度
17 mm
長(zhǎng)度
122 mm
寬度
62 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
安裝風(fēng)格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類別
IGBTs
零件號(hào)別名
FP100R12KT4BOSA1 SP000355578
單位重量
300 g
商品詳情
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 100 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
最大工作溫度: + 150 C
封裝 / 箱體: Econo 3
封裝: Tray
商標(biāo): Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風(fēng)格: Screw
Pd-功率耗散: 5.15 W
工廠包裝數(shù)量: 10

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