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電源模塊

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IHW30N160R2

  • IHW30N160R2請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-05-06 05:24
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深圳市淘芯電子有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì):

    14

  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌:HiSilicon Semtech
  • 聯(lián) 系人:鄭小姐
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:0755-82796668
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  • 手  機(jī):18926036359
  • 地  址:深圳市福田區(qū)新洲南文化創(chuàng)意園A座513
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IHW30N160R2參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 晶體管
RoHS
技術(shù)
Si
封裝 / 箱體
TO-247-3
安裝風(fēng)格
Through Hole
配置
Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1600 V
集電極—射極飽和電壓
1.8 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
60 A
Pd-功率耗散
312 W
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封裝
Tube
高度
20.95 mm
長(zhǎng)度
15.9 mm
寬度
5.3 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流
100 nA
產(chǎn)品類型
IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量
240
子類別
IGBTs
商標(biāo)名
TRENCHSTOP
零件號(hào)別名
IHW30N160R2FKSA1 IHW3N16R2XK SP000273701
單位重量
38 g
商品詳情

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1.6 kV
集電極—射極飽和電壓: 2.35 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 25 V
最大工作溫度: + 150 C
封裝 / 箱體: TO-247-3
封裝: Tube
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 60 A
最小工作溫度: - 40 C
安裝風(fēng)格: Through Hole
Pd-功率耗散: 312 W
系列: IHW30N160
工廠包裝數(shù)量: 240

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