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IKW40N120H3

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深圳市淘芯電子有限公司

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  • 聯(lián)系電話：0755-82796668
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IKW40N120H3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 晶體管
RoHS
是
技術(shù)
Si
封裝 / 箱體
TO-247-3
安裝風格
Through Hole
配置
Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
2.05 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
80 A
Pd-功率耗散
483 W
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封裝
Tube
集電極最大連續(xù)電流 Ic
80 A
商標
Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流
600 nA
產(chǎn)品類型
IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量
240
子類別
IGBTs
商標名
TRENCHSTOP
零件號別名
IKW40N120H3FKSA1 IKW4N12H3XK SP000674416
單位重量
38 g
商品詳情
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
商標: Infineon Technologies
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.05 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 80 A
柵極—射極漏泄電流: 600 nA
最大工作溫度: + 175 C
封裝 / 箱體: TO-247-3
封裝: Tube
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 80 A
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Through Hole
Pd-功率耗散: 483 W
系列: IKW40N120
工廠包裝數(shù)量: 240
零件號別名: IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3XK SP000674416

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