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IPD33CN10NG

  • IPD33CN10NG請詢價2026-06-01 05:55
  • infineon
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

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    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)紅荔路3003號上步工業(yè)區(qū)201棟588
IPD33CN10NG數(shù)據(jù)手冊
IPD33CN10NG參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
詳細信息
商標
Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流
27 A
Vds-漏源極擊穿電壓
100 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
33 mOhms
晶體管極性
N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓
4 V
Qg-柵極電荷
24 nC
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
58 W
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK-3
封裝
Reel
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降時間
4 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值
15 S
最小工作溫度
- 55 C
上升時間
21 ns
系列
OptiMOS 2
工廠包裝數(shù)量
2500
商標名
OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時間
17 ns
典型接通延遲時間
11 ns
零件號別名
IPD33CN10NGBUMA1 IPD33CN10NGXT SP000096458
商品詳情
IPD33CN10NG 原裝 

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