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DMN62D0LFB-7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET MOSFET

  • DMN62D0LFB-7請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-06-09 05:42
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供應(yīng)商信息

深圳市恒科翔業(yè)科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì):

    11

  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:未審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌:ADI Altera Maxim ST Ti Xilinx
  • 聯(lián) 系人:黃小姐
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:0755-83203950
  • 電子郵件:[email protected]
  • 手  機(jī):13691998603
  • 地  址:華強(qiáng)北路新華強(qiáng)廣場(chǎng)B座27D
DMN62D0LFB-7數(shù)據(jù)手冊(cè)
DMN62D0LFB-7參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
X1-DFN1006-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
60 V
Id-連續(xù)漏極電流
320 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
2 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓
600 mV
Vgs - 柵極-源極電壓
4 V
Qg-柵極電荷
0.45 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
系列
DMN62
晶體管類型
1 N-Channel
商標(biāo)
Diodes Incorporated
下降時(shí)間
16.3 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
3.4 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
26.4 ns
典型接通延遲時(shí)間
3.4 ns
商品詳情

制造商
Diodes Incorporated
制造商零件編號(hào)
DMN62D0LFB-7
描述
MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí) (MSL) 1(無(wú)限)
詳細(xì)描述 表面貼裝-N-溝道-pval-2068-100mA(Ta)-470mW(Ta)-3-X1DFN1006
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 100mA(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds _disibledevent="font-size:14px;">

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