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其它集成電路

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SI1922EDH-T1-GE3

  • SI1922EDH-T1-GE3請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-06-03 05:39
  • Vishay / Siliconix
  • 1
  • 500000
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)峤辉?xún)價(jià)信息
詢(xún)價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線(xiàn)聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話(huà)：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3003號(hào)上步工業(yè)區(qū)201棟588
SI1922EDH-T1-GE3數(shù)據(jù)手冊(cè)
SI1922EDH-T1-GE3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Vishay
產(chǎn)品種類(lèi)
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-363-6
通道數(shù)量
2 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
20 V
Id-連續(xù)漏極電流
1.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
198 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
400 mV
Vgs - 柵極-源極電壓
8 V
Qg-柵極電荷
2.5 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商標(biāo)名
TrenchFET
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
1 mm
長(zhǎng)度
2.1 mm
系列
SI1
晶體管類(lèi)型
2 N-Channel
寬度
1.25 mm
商標(biāo)
Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值
4 S
下降時(shí)間
220 ns
產(chǎn)品類(lèi)型
MOSFET
上升時(shí)間
80 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量
3000
子類(lèi)別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
480 ns
典型接通延遲時(shí)間
43 ns
零件號(hào)別名
SI1988DH-T1-GE3
單位重量
7.500 mg
商品詳情

Vishay 集成MOSFET解決方案

Vishay集成MOSFET解決方案將各種元件集成到單一芯片中，可提高功率密度、提高效率、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低物料清單 (BOM) 成本。這些單芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基勢(shì)壘二極管和ESD保護(hù)等特性。這些MOSFET采用低導(dǎo)通電阻N溝道和P溝道TrenchFET®技術(shù)，具有低熱阻。

Vishay集成MOSFET有各種配置和封裝可供選擇，可提高設(shè)計(jì)靈活性。封裝包括TO-252、TO-262、TO-263、PowerPAK SO-8、D2PAK (TO-263)、DPAK和PowerPAK 1212-8W以及幾種節(jié)省空間的小型封裝。

應(yīng)用

  • 系統(tǒng)電源、POL、低電流直流-直流以及筆記本同步壓降應(yīng)用
  • VRM
  • 電源模塊
  • 圖形卡
  • 服務(wù)器
  • 游戲機(jī)
  • 筆記本電腦
  • 電信設(shè)備
  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)
  • 適配器開(kāi)關(guān)
  • 電池開(kāi)關(guān)
  • 直流電機(jī)
  • 充電器開(kāi)關(guān)
  • 電池保護(hù)
產(chǎn)品種類(lèi):
MOSFET
RoHS:
 
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-363-6
通道數(shù)量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續(xù)漏極電流:
1.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
198 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
400 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
Qg-柵極電荷:
2.5 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.25 W
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1 mm
 
長(zhǎng)度:
2.1 mm
 
系列:
SI1
 
晶體管類(lèi)型:
2 N-Channel
 
寬度:
1.25 mm
 
商標(biāo):
Vishay / Siliconix
 
正向跨導(dǎo) - 最小值:
4 S
 
下降時(shí)間:
220 ns
 
產(chǎn)品類(lèi)型:
MOSFET
 
上升時(shí)間:
80 ns

SI1922EDH-T1-GE3原裝MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6深圳市三磚科技Vishay / Siliconix一級(jí)代理廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨

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