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RQ3E120AT 晶體管 FET MOSFET 單 P-CH 30V 12A

  • RQ3E120AT請詢價2026-06-01 05:16
  • ROHM
  • 1
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供應(yīng)商信息

深圳市恒科翔業(yè)科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：未審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Altera Maxim ST Ti Xilinx
  • 聯(lián)　系人：黃小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-83203950
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13691998603
  • 地　　址：華強北路新華強廣場B座27D
RQ3E120AT數(shù)據(jù)手冊
商品詳情

制造商
Rohm Semiconductor
制造商零件編號
RQ3E120ATTB
描述
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
對無鉛要求的達標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 表面貼裝-P-溝道-pval-2068-12A（Ta）-2W（Ta）-8-HSMT（3.2x3）
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 12A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds _disibledevent="font-size:14px;">

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