| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
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Rohs：
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Lead free / RoHS Compliant
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標(biāo)準(zhǔn)包裝：
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2,500
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FET 型
：
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N and P-Channel
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FET特點(diǎn)：
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Logic Level Gate
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漏極至源極電壓（VDSS）：
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30V
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電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：
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4.9A, 4.1A
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Rds（最大）@ ID，VGS：
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35 mOhm @ 9A, 10V
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VGS（TH）（最大）@ Id：
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1V @ 250μA
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柵極電荷（Qg）@ VGS：
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17.5nC @ 10V
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輸入電容（Ciss）@?Vds的：
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796pF @ 25V
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功率 - 最大：
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1.25W
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安裝類(lèi)型
：
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Surface Mount
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包/盒
：
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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供應(yīng)商器件封裝：
|
8-SOP
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包裝材料
：
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Tape & Reel (TR)
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包裝：
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8SOIC
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渠道類(lèi)型：
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N|P
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通道模式：
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Enhancement
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最大漏源電壓：
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30 V
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最大連續(xù)漏極電流：
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6.4@N Channel|5.5@P Channel A
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RDS -于：
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35@10V mOhm
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最大門(mén)源電壓：
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±20 V
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典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：
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3 ns
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典型上升時(shí)間：
|
6.4 ns
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典型關(guān)閉延遲時(shí)間：
|
21.6 ns
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典型下降時(shí)間：
|
9.4 ns
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工作溫度：
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-55 to 150 °C
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安裝：
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Surface Mount
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標(biāo)準(zhǔn)包裝：
|
Tape & Reel
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最大門(mén)源電壓：
|
±20
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包裝寬度：
|
4(Max)
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PCB：
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8
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最大功率耗散：
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2100
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最大漏源電壓：
|
30
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歐盟RoHS指令：
|
Compliant
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最大漏源電阻：
|
35@10V
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每個(gè)芯片的元件數(shù)：
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2
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最低工作溫度：
|
-55
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供應(yīng)商封裝形式：
|
SOIC
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標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱(chēng)：
|
SOIC
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最高工作溫度：
|
150
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包裝長(zhǎng)度：
|
5(Max)
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引腳數(shù)：
|
8
|
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包裝高度：
|
1.5(Max)
|
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最大連續(xù)漏極電流：
|
6.4@N Channel|5.5@P Channel
|
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封裝：
|
Tape and Reel
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鉛形狀：
|
Gull-wing
|
|
單位包：
|
2500
|
|
最小起訂量：
|
2500
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FET特點(diǎn)：
|
Logic Level Gate
|
|
安裝類(lèi)型：
|
Surface Mount
|
|
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：
|
4.9A, 4.1A
|
|
的Vgs（th ） （最大）@ Id：
|
1V @ 250μA
|
|
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
|
8-SOP
|
|
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：
|
35 mOhm @ 9A, 10V
|
|
FET型：
|
N and P-Channel
|
|
功率 - 最大：
|
1.25W
|
|
漏極至源極電壓（Vdss）：
|
30V
|
|
輸入電容（Ciss ） @ VDS：
|
796pF @ 25V
|
|
閘電荷（Qg ） @ VGS：
|
17.5nC @ 10V
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|
封裝/外殼：
|
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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RoHS指令：
|
Lead free / RoHS Compliant
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其他名稱(chēng)：
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ZXMC3A16DN8TCCT
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工廠包裝數(shù)量：
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2500
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產(chǎn)品種類(lèi)：
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MOSFET
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晶體管極性：
|
N and P-Channel
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配置：
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Dual Dual Drain
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源極擊穿電壓：
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+/- 20 V
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連續(xù)漏極電流：
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+ 6.4, - 5.4 A
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安裝風(fēng)格：
|
SMD/SMT
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RDS（ON）：
|
35 mOhms
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功率耗散：
|
2.1 W
|
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最低工作溫度：
|
- 55 C
|
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封裝/外殼：
|
SOIC-8
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上升時(shí)間：
|
6.4 ns
|
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最高工作溫度：
|
+ 150 C
|
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漏源擊穿電壓：
|
+/- 30 V
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RoHS：
|
RoHS Compliant
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下降時(shí)間：
|
9.4 ns
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柵源電壓（最大值）：
|
?20 V
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漏源導(dǎo)通電阻：
|
0.035 ohm
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工作溫度范圍：
|
-55C to 150C
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包裝類(lèi)型：
|
SOIC
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極性：
|
N/P
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類(lèi)型：
|
Power MOSFET
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元件數(shù)：
|
2
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工作溫度分類(lèi)：
|
Military
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