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其它集成電路

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STP5NK100Z

  • STP5NK100Z請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-06-17 05:01
  • ST
  • 1
  • 6000
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)峤辉儍r(jià)信息
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3003號(hào)上步工業(yè)區(qū)201棟588
STP5NK100Z數(shù)據(jù)手冊(cè)
STP5NK100Z參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
1 kV
Id-連續(xù)漏極電流
3.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
3.7 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓
3 V
Vgs - 柵極-源極電壓
10 V
Qg-柵極電荷
42 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標(biāo)名
SuperMESH
高度
9.15 mm
長(zhǎng)度
10.4 mm
系列
STP5NK100Z
晶體管類型
1 N-Channel Power MOSFET
類型
MOSFET
寬度
4.6 mm
商標(biāo)
STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值
4 S
下降時(shí)間
19 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
7.7 ns
工廠包裝數(shù)量
1000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
51.5 ns
典型接通延遲時(shí)間
22.5 ns
單位重量
1.438 g
商品詳情

STMicroelectronics zeners保護(hù)的SuperMESH3功率mosfet

STMicroelectronics公司通過對(duì)現(xiàn)有的基于條帶的PowerMESH?布局進(jìn)行進(jìn)一步微調(diào)，并對(duì)垂直結(jié)構(gòu)進(jìn)行新的優(yōu)化，從而獲得了新的SuperMESH3?Power mosfts。除了顯著降低導(dǎo)通電阻外，還特別注意確保這些mosfet具有非常好的動(dòng)態(tài)性能，并具有非常大的雪崩能力，可用于要求最高的開關(guān)應(yīng)用程序。SuperMESH3?功率mosfet現(xiàn)在的電壓高達(dá)1200V。



特性

100%雪崩測(cè)試

超大雪崩特性

門費(fèi)用最小化

非常低的本征電容

Zener-protected

封裝選項(xiàng):SOT-223-4、TO-220-3、TO-247-3、TO-251-3、TO-252-3、TO-92-3

應(yīng)用程序

開關(guān)式低功率電源(SMPS)

直流-直流Conveters

切換應(yīng)用程序

離線電源

產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
 
 
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
1 kV
Id-連續(xù)漏極電流:
3.5 A
Rds _disibledevent="col-xs-5"> 7.7 ns
深圳市三磚科技ST一級(jí)代理廠原裝現(xiàn)貨 聯(lián)系人：盧先生 電話：13152699590

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