古风名字,我欲封天txt下载,好看的小说

當(dāng)前位置:
首頁
>
電子元器件
>
其它集成電路
>
IRF640NPBF

其它集成電路

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格

分享到：

IRF640NPBF

型號(hào):IRF640NPBF價(jià)格:請(qǐng)?jiān)儍r(jià)更新時(shí)間:2026-06-04 05:13
品牌:Infineon Technologies
起訂量:1
供貨總量:42000

購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)峤辉儍r(jià)信息

詢價(jià)型號(hào)*	數(shù)量*	批號(hào)	封裝	品牌	其它要求

請(qǐng)確認(rèn)聯(lián)系方式，3分鐘內(nèi)即可給您回復(fù)

公司名：
*聯(lián)系人：
*電話：
*郵箱：

QQ：
微信：

供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

旺鋪首頁 IC現(xiàn)貨庫存供應(yīng)產(chǎn)品

會(huì)員資質(zhì)：
11
年
營業(yè)執(zhí)照：已審核
經(jīng)營品牌：
聯(lián)　系人：黃先生
在線聯(lián)系：
聯(lián)系電話：
電子郵件：[email protected]
手　　機(jī)：18823887255
地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3003號(hào)上步工業(yè)區(qū)201棟588

推薦的產(chǎn)品

LM339DR2G

MP2451DJ-LF-Z

PIC16F18324-I/SL

DSPIC33FJ16GS504-I/PT

IX4427N

W25X10CLSNIG

IRF640NPBF數(shù)據(jù)手冊(cè)

PDF資料
IRF640NPBF PDF資料

IRF640NPBF參數(shù)信息

參數(shù)	參數(shù)值
制造商	Infineon
產(chǎn)品種類	MOSFET
RoHS	是
技術(shù)	Si
安裝風(fēng)格	Through Hole
封裝 / 箱體	TO-220-3
通道數(shù)量	1 Channel
晶體管極性	N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓	200 V
Id-連續(xù)漏極電流	18 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻	150 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓	20 V
Qg-柵極電荷	44.7 nC
最小工作溫度	- 55 C
最大工作溫度	+ 175 C
Pd-功率耗散	150 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封裝	Tube
高度	15.65 mm
長度	10 mm
晶體管類型	1 N-Channel
寬度	4.4 mm
商標(biāo)	Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值	6.8 S
下降時(shí)間	5.5 ns
產(chǎn)品類型	MOSFET
上升時(shí)間	19 ns
工廠包裝數(shù)量	1000
子類別	MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間	23 ns
典型接通延遲時(shí)間	10 ns
零件號(hào)別名	SP001570078
單位重量	6 g

商品詳情

英飛凌200 - 250 v

HEXFET®功率場(chǎng)效應(yīng)管

英飛凌200-250V HEXFET®Power mosfet®Power mosfet提供多種mosfet，包括各種封裝、電流和RDS(on)評(píng)級(jí)。這些200-250V HEXFET®功率mosfet采用最新的加工技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)低通電阻每硅區(qū)。這一優(yōu)勢(shì)，再加上英飛凌HEXFET®Power mosfts的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的設(shè)備設(shè)計(jì)，為設(shè)計(jì)師提供了一個(gè)非常高效和可靠的設(shè)備，可用于多種應(yīng)用。

產(chǎn)品種類:

MOSFET

RoHS:

技術(shù):

安裝風(fēng)格:

Through Hole

封裝 / 箱體:

TO-220-3

通道數(shù)量:

1 Channel

晶體管極性:

N-Channel