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英飛凌200 - 250 v HEXFET®功率場(chǎng)效應(yīng)管 英飛凌200-250V HEXFET®Power mosfet®Power mosfet提供多種mosfet,包括各種封裝、電流和RDS(on)評(píng)級(jí)。這些200-250V HEXFET®功率mosfet采用最新的加工技術(shù),以實(shí)現(xiàn)低通電阻每硅區(qū)。這一優(yōu)勢(shì),再加上英飛凌HEXFET®Power mosfts的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的設(shè)備設(shè)計(jì),為設(shè)計(jì)師提供了一個(gè)非常高效和可靠的設(shè)備,可用于多種應(yīng)用。
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