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其它集成電路

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SI2306BDS-T1-E3

  • SI2306BDS-T1-E3請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-06-11 05:17
  • Vishay / Siliconix
  • 1
  • 20000
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)峤辉儍r(jià)信息
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3003號(hào)上步工業(yè)區(qū)201棟588
SI2306BDS-T1-E3數(shù)據(jù)手冊(cè)
SI2306BDS-T1-E3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
30 V
Id-連續(xù)漏極電流
3.16 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
47 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
1 V
Vgs - 柵極-源極電壓
10 V
Qg-柵極電荷
3 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標(biāo)名
TrenchFET
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
1.45 mm
長(zhǎng)度
2.9 mm
系列
SI2
晶體管類型
1 N-Channel
寬度
1.6 mm
商標(biāo)
Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值
7 S
下降時(shí)間
6 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
12 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
14 ns
典型接通延遲時(shí)間
7 ns
零件號(hào)別名
SI2306BDS-E3
單位重量
8 mg
商品詳情

產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
 
 
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續(xù)漏極電流:
3.16 A
Rds _disibledevent="col-xs-5"> 12 ns
深圳市三磚科技Vishay一級(jí)代理廠原裝現(xiàn)貨 聯(lián)系人：盧先生 電話：13152699590

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