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其它集成電路

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SI2302CDS-T1-GE3

  • SI2302CDS-T1-GE3請詢價2026-06-21 05:59
  • Vishay / Siliconix
  • 1
  • 50000
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)紅荔路3003號上步工業(yè)區(qū)201棟588
SI2302CDS-T1-GE3數(shù)據(jù)手冊
SI2302CDS-T1-GE3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
20 V
Id-連續(xù)漏極電流
2.9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
57 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
400 mV
Vgs - 柵極-源極電壓
4.5 V
Qg-柵極電荷
5.5 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
860 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標名
TrenchFET
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
1.45 mm
長度
2.9 mm
系列
SI2
晶體管類型
1 N-Channel
寬度
1.6 mm
商標
Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值
13 S
下降時間
7 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
7 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間
30 ns
典型接通延遲時間
8 ns
零件號別名
SI2302CDS-GE3
單位重量
8 mg
商品詳情

產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
 
 
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續(xù)漏極電流:
2.9 A
Rds _disibledevent="col-xs-5"> 7 ns
深圳市三磚科技Vishay一級代理廠原裝現(xiàn)貨 聯(lián)系人：盧先生 電話：13152699590

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