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增強(qiáng)型MOS管(N溝道)

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大量正品原裝IPD12CNE8N G 一級(jí)代理場(chǎng)效應(yīng)管MOS管

  • IPD12CNE8N G詢價(jià)為準(zhǔn)2026-06-07 05:29
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供應(yīng)商信息

深圳市百視威訊電子科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：AOS Infineon IR NXP ON Ti
  • 聯(lián)　系人：董先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-27381274
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18098996457
  • 地　　址：華強(qiáng)廣場(chǎng)C座18J
推薦的產(chǎn)品
暫無(wú)推薦產(chǎn)品信息
IPD12CNE8N G數(shù)據(jù)手冊(cè)
IPD12CNE8N G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
2,500
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
FET - 單
系列：
OptiMOS??
包裝：
帶卷（TR）
FET 類型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：
85V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：
67A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：
12.4 毫歐 @ 67A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 83µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：
64nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：
4340pF @ 40V
功率 - 最大值：
125W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO252-3
其它名稱：
SP000096477
商品詳情




全新原裝正品IPD12CNE8N G



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