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IRFI644GPBF 晶體管 - FET MOSFET

  • IRFI644GPBF請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-04-23 05:51
  • vishay
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供應(yīng)商信息

深圳市恒科翔業(yè)科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：未審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：ADI Altera Maxim ST Ti Xilinx
  • 聯(lián)　系人：黃小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-83203950
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：13691998603
  • 地　　址：華強(qiáng)北路新華強(qiáng)廣場(chǎng)B座27D
IRFI644GPBF數(shù)據(jù)手冊(cè)
IRFI644GPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
FET類型：
N 溝道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：
7.9A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：
4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
68nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
1300pF @ 25V
Vgs（最大值）：
±20V
功率耗散（最大值）：
40W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：
280 毫歐 @ 4.7A，10V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 全封裝，隔離接片
封裝形式Package：
TO-220-3
極性Polarity：
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：
250V
連續(xù)漏極電流ID：
7.9A
漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)：
280mOhms
無(wú)鉛情況/RoHs：
無(wú)鉛/符合RoHs
商品詳情

制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號(hào)
IRFI644GPBF
描述
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 通孔-N-溝道-pval-2068-7.9A（Tc）-40W（Tc）-TO-220-3
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 250V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 7.9A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds _disibledevent="font-size:14px;">

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