nfineon Technologies CoolMOS? 功率晶體管
Infineon CoolMOS? 功率晶體管采用面向高壓功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS? 技術，該技術根據超結原理 (SJ) 設計，并由 Infineon Technologies 率先應用。 CoolMOS? C6和E6系列功率晶體管融合了一流SJ MOSFET供應商的行業(yè)經驗，并兼具高度的創(chuàng)新性。 它在提供快速開關SJ MOSFET的所有優(yōu)勢的同時，絲毫沒有犧牲易用性。極低的開關和傳導損耗使開關應用更加高效、小巧、輕便，散熱效果也更佳。 Infineon Technologies 擴展了采用 CoolMOS? 技術的 CoolMOS® 功率晶體管產品，該技術根據超結原理設計，適用于高壓功率 MOSFET 。 這些CoolMOS®功率晶體管具備快速開關SJ MOSFET的所有優(yōu)勢，同時提供堅固的超高速體二極管。 Infineon Technologies CoolMOS®功率晶體管尤其適用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服務器和電信等應用的諧振開關PWM階段。 查看整個CoolMOS系列
英飛凌科技公司擴大了其CoolMOS®功率晶體管的供應，該產品采用了一種革命性的高壓功率mosfet技術，根據超結(SJ)原理設計。這些CoolMOS®功率晶體管提供了快速開關SJ MOSFET的所有優(yōu)點，同時提供了一個非?？旌蛷姶蟮捏w二極管。酷睿®功率晶體管特別適用于PC銀盒、液晶電視、照明、服務器和電信應用的諧振開關PWM級。
C3場效電晶體
英飛凌500V/600V/650V酷睿mos?C3 mosfet具有極低的通態(tài)電阻(RDS(on)* a)，實現(xiàn)了極低的傳導和開關損耗，使開關應用更加高效。這些設備使用現(xiàn)場證明的CoolMOS質量，提供卓越的成本和性能。這些mosfet非常適合在服務器、電信、消費者、PC電源和適配器應用程序中使用。
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英飛凌800V CoolMOS?C3 mosfet由于具有較低的比通態(tài)電阻(RDS(on)* a)，實現(xiàn)了極低的傳導和開關損耗，使開關應用程序更高效、更緊湊、更輕和更冷。此外，該系列產品具有優(yōu)異的性價比。800V CoolMOS?C3產品經過優(yōu)化，在太陽能逆變器、工業(yè)逆變器、三相拓撲結構、PC電源、適配器、液晶電視和照明等應用中易于使用和提高效率。
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英飛凌900V CoolMOS?C3 mosfet基于充電補償的器件概念，與其他900V傳統(tǒng)mosfet相比，每個封裝類型的RDS(on)可顯著降低四倍或更多的on電阻。900V的CoolMOS?C3還提供了一個非常低的性能數字- _disibledevent="col-xs-5">
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