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其它集成電路

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NTJD5121NT1G

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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3003號(hào)上步工業(yè)區(qū)201棟588
NTJD5121NT1G數(shù)據(jù)手冊(cè)
NTJD5121NT1G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SC-88-6
通道數(shù)量
2 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
60 V
Id-連續(xù)漏極電流
295 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
1.6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
0.9 mm
長(zhǎng)度
2 mm
系列
NTJD5121N
晶體管類型
2 N-Channel
寬度
1.25 mm
商標(biāo)
ON Semiconductor
下降時(shí)間
32 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
34 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
34 ns
典型接通延遲時(shí)間
22 ns
單位重量
6 mg
商品詳情

NTJD5121NT1G

產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
 
 
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SC-88-6
通道數(shù)量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續(xù)漏極電流:
295 mA
Rds _disibledevent="col-xs-5"> 34 ns
深圳市三磚科技ON一級(jí)代理廠原裝現(xiàn)貨 聯(lián)系人：盧先生 電話：13152699590

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