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其它集成電路

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BSC190N15NS3G

  • BSC190N15NS3G請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-06-13 05:35
  • infineon
  • 1
  • 8000
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)峤辉?xún)價(jià)信息
詢(xún)價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì):

    11

  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌:
  • 聯(lián) 系人:黃先生
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:
  • 電子郵件:[email protected]
  • 手  機(jī):18823887255
  • 地  址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3003號(hào)上步工業(yè)區(qū)201棟588
BSC190N15NS3G數(shù)據(jù)手冊(cè)
BSC190N15NS3G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類(lèi)
MOSFET
RoHS
詳細(xì)信息
商標(biāo)
Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流
50 A
Vds-漏源極擊穿電壓
150 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
19 mOhms
晶體管極性
N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓
3 V
Qg-柵極電荷
23 nC
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TDSON-8
封裝
Reel
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降時(shí)間
6 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值
57 S, 29 S
最小工作溫度
- 55 C
上升時(shí)間
53 ns
系列
OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量
5000
商標(biāo)名
OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
25 ns
典型接通延遲時(shí)間
15 ns
零件號(hào)別名
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GXT SP000416636
商品詳情

英飛凌 N 溝道 OptiMOS? 功率 MOSFETs

英飛凌 N 溝道 OptiMOS? 功率 MOSFET 是同類(lèi)領(lǐng)先的功率 MOSFET,實(shí)現(xiàn)最高功率密度和能效的解決方案。超低的柵極和輸出電荷、加上最低的導(dǎo)通電阻和小尺寸封裝,使 英飛凌 N 溝道 OptiMOS 功率 MOSFET 成為滿(mǎn)足服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信、電信應(yīng)用穩(wěn)壓器解決方案嚴(yán)苛要求的理想選擇。超快開(kāi)關(guān)控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于設(shè)計(jì)導(dǎo)入(design in)的解決方案。 英飛凌 N 溝道 OptiMOS? 功率 MOSFET 提供優(yōu)秀的柵極電荷,最適合直流-直流轉(zhuǎn)換。

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可用于最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,充分靈活地優(yōu)化空間、效率和成本。OptiMOS? 產(chǎn)品經(jīng)設(shè)計(jì)符合并超過(guò)計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。

MOSFET 特性
  • 經(jīng)優(yōu)化的 SyncFET,用于高性能降壓轉(zhuǎn)換器
  • 100% 經(jīng)雪崩測(cè)試
  • N 溝道
  • 非常低的導(dǎo)通電阻 RDS(on) @ VGS=4.5V
  • 超低柵極(Qg)和輸出電荷(Qoss)(對(duì)于給定 RDS(on)
  • 按照 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)符合目標(biāo)應(yīng)用要求
  • 出色的熱阻
  • 無(wú)鉛電鍍;符合 RoHS 要求
  • 無(wú)鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
  • 服務(wù)器的板載電源
  • 高性能計(jì)算的電源管理
  • 同步整流
  • 高功率密度負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器
產(chǎn)品種類(lèi):
MOSFET
RoHS:
 
 
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TDSON-8
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
150 V
Id-連續(xù)漏極電流:
50 A
Rds _disibledevent="col-xs-5"> 53 ns
深圳市三磚科技infineon一級(jí)代理廠原裝現(xiàn)貨 聯(lián)系人:盧先生 電話:13152699590

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