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其它集成電路

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IRLML6401TRPBF

  • IRLML6401TRPBF請詢價2026-06-08 05:39
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)紅荔路3003號上步工業(yè)區(qū)201棟588
IRLML6401TRPBF數(shù)據(jù)手冊
IRLML6401TRPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計資源：
IRLML6401TR Saber Model IRLML6401TR Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
3,000
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
FET - 單
系列：
HEXFET®
包裝：
帶卷（TR）
FET 類型：
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：
12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
4.3A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
50 毫歐 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
950mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：
15nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：
830pF @ 10V
功率 - 最大值：
1.3W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：
Micro3?/SOT-23
其它名稱：
IRLML6401PBFTR
商品詳情

制造商:
Infineon
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
 
 
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
12 V
Id-連續(xù)漏極電流:
4.3 A
Rds _disibledevent="col-xs-5"> MOSFET
深圳市三磚科技IR一級代理廠原裝現(xiàn)貨 聯(lián)系人：盧先生 電話：13152699590

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