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其它集成電路

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IRGP4062DPBF

  • IRGP4062DPBF請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-06-06 05:30
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3003號(hào)上步工業(yè)區(qū)201棟588
IRGP4062DPBF數(shù)據(jù)手冊(cè)
IRGP4062DPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：
IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設(shè)計(jì)資源：
IRGB4062DPBF Saber Model IRGB4062DPBF Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
25
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
IGBT - 單路
系列：
-
包裝：
散裝
IGBT 類型：
溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）：
48A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)：
72A
不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）：
1.95V @ 15V，24A
功率 - 最大值：
250W
開關(guān)能量：
115µJ（開），600µJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：
50nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
41ns/104ns
測(cè)試條件：
400V，24A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：
89ns
封裝/外殼：
TO-247-3
安裝類型：
通孔
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AC
商品詳情

nfineon 300 - 1200 v igbt

英飛凌擁有廣泛的igbt產(chǎn)品組合，從300V到1200V，在特定的應(yīng)用需求上達(dá)到了最高的性能。英飛凌IGBT產(chǎn)品包括新型超高速IRG7PH 1200V溝槽IGBT，在降低切換損耗和提供更高的切換頻率的同時(shí)，提供更高的系統(tǒng)效率。英飛凌IRG7PH超快1200V IGBTs采用薄片場(chǎng)阻溝槽技術(shù)，顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，在更高頻率下提供更高的功率密度和更高的效率。





特性

低VCE (ON)溝槽IGBT技術(shù)

低開關(guān)損耗

廣場(chǎng)RBSOA

100%的零件經(jīng)過ILM測(cè)試

正VCE (ON)溫度系數(shù)

超快軟恢復(fù)共裝二極管

嚴(yán)格的參數(shù)分布

無鉛

應(yīng)用程序

ups

焊接

太陽(yáng)能逆變器

感應(yīng)加熱

產(chǎn)品種類:
IGBT 晶體管
RoHS:
 
 
技術(shù):
Si
封裝 / 箱體:
TO-247-3
安裝風(fēng)格:
Through Hole
配置:
Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:
600 V
集電極—射極飽和電壓:
1.95 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:
48 A
Pd-功率耗散:
250 W
最小工作溫度:
- 55 C
封裝:
Tube
高度:
20.7 mm
 
長(zhǎng)度:
15.87 mm
 
寬度:
5.31 mm
 
商標(biāo):
Infineon Technologies
 
產(chǎn)品類型:
IGBT Transistors
深圳市三磚科技IR一級(jí)代理廠原裝現(xiàn)貨 聯(lián)系人：盧先生 電話：13152699590

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