| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
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產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：
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High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
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設(shè)計(jì)資源：
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IRF3205SPBF Saber Model IRF3205SPBF Spice Model
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標(biāo)準(zhǔn)包裝：
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800
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類(lèi)別：
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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
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家庭：
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FET - 單
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系列：
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HEXFET®
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包裝：
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帶卷（TR）
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FET 類(lèi)型：
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MOSFET N 通道，金屬氧化物
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FET 功能：
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標(biāo)準(zhǔn)
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漏源極電壓（Vdss）：
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55V
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電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：
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110A（Tc）
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不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：
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8 毫歐 @ 62A，10V
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不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：
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4V @ 250µA
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不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：
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146nC @ 10V
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不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：
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3247pF @ 25V
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功率 - 最大值：
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200W
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安裝類(lèi)型：
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表面貼裝
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封裝/外殼：
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TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
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供應(yīng)商器件封裝：
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D2PAK
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其它名稱(chēng)：
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IRF3205STRLPBF-NDIRF3205STRLPBFTR
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