| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
|
封裝/外殼：
|
D2PAK
|
|
FET 類型：
|
N 溝道
|
|
技術(shù)：
|
MOSFET（金屬氧化物）
|
|
漏源電壓（Vdss）：
|
200V
|
|
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：
|
24A（Tc）
|
|
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
|
10V
|
|
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：
|
5V @ 100μA
|
|
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
|
38nC @ 10V
|
|
Vgs（最大值）：
|
±20V
|
|
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
|
1710pF @ 50V
|
|
功率耗散（最大值）：
|
144W（Tc）
|
|
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：
|
77.5 毫歐 @ 15A，10V
|
|
工作溫度：
|
-55°C ~ 175°C（TJ）
|
|
安裝類型：
|
表面貼裝
|
|
系列：
|
HEXFET?
|
|
FET類型：
|
N 溝道
|
|
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：
|
24A（Tc）
|
|
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
|
10V
|
|
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：
|
5V @ 100μA
|
|
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
|
38nC @ 10V
|
|
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
|
1710pF @ 50V
|
|
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：
|
77.5 毫歐 @ 15A，10V
|
|
封裝形式Package：
|
D2PAK
|
|
極性Polarity：
|
N-CH
|
|
漏源極擊穿電壓VDSS：
|
200V
|
|
連續(xù)漏極電流ID：
|
24A
|
|
供應(yīng)商器件封裝：
|
D2PAK
|
|
無(wú)鉛情況/RoHs：
|
無(wú)鉛/符合RoHs
|