其它集成電路

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BUK7Y1R7-40H

型號(hào):BUK7Y1R7-40H價(jià)格:請(qǐng)?jiān)儍r(jià)更新時(shí)間:2026-06-20 05:41
品牌:NXP
起訂量:1
供貨總量:30000

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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

旺鋪首頁 IC現(xiàn)貨庫存供應(yīng)產(chǎn)品

會(huì)員資質(zhì)：
11
年
營業(yè)執(zhí)照：已審核
經(jīng)營品牌：
聯(lián)　系人：黃先生
在線聯(lián)系：
聯(lián)系電話：
電子郵件：[email protected]
手　　機(jī)：18823887255
地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3003號(hào)上步工業(yè)區(qū)201棟588

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商品詳情

Nexperia Trench 9超級(jí)結(jié)MOSFET

Nexperia Trench 9超級(jí)結(jié)MOSFET將低壓超級(jí)結(jié)技術(shù)與先進(jìn)的封裝設(shè)計(jì)相結(jié)合，以實(shí)現(xiàn)高性能和耐用性。Trench 9 MOSFET系列產(chǎn)品全部符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，且超越了這一國際汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的要求，在包括溫度循環(huán) (TC)、耐高溫柵極偏置 (HTGB)、耐高溫反向偏置 (HTRB) 和斷續(xù)工作壽命 (IOL) 等主要的可靠性測(cè)試方面達(dá)到了兩倍的指標(biāo)值。

這些N通道40V Trench 9 MOSFET具有較高的功率密度和效率，RDSon范圍為1.4mΩ至3.5mΩ，具有出色的單觸發(fā)或重復(fù)性雪崩性能。Nexperia Trench 9 Superjunction MOSFET采用緊湊型30mm2 LFPAK56和LFPAK56E封裝。這些器件的封裝設(shè)計(jì)和功率密度使其可替代DPAK和D2PAK MOSFET，且占位面積更小。

FEATURES

完全符合汽車級(jí)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)：
- 額定溫度為175°C，適合在散熱要求高的環(huán)境中使用
系列RDSon范圍：1.4mΩ至3.5mΩ
Trench 9 Superjunction技術(shù)：
- 減小了單元腳距，可提高功率密度和效率，在相同占位面積中降低RDSon
- 與標(biāo)準(zhǔn)TrenchMOS相比，提高了SOA（安全工作區(qū)）和雪崩能力
- 嚴(yán)格的VGS(th) 限制可實(shí)現(xiàn)MOSFET的輕松并聯(lián)
LFPAK鷗翼型引線：
- 與傳統(tǒng)QFN封裝不同，高板級(jí)可靠性在熱循環(huán)過程中吸收機(jī)械應(yīng)力
- 可視自動(dòng)光學(xué)檢驗(yàn) (AOI) 設(shè)計(jì)，無需昂貴的X射線設(shè)備
- 易于焊料潤濕，實(shí)現(xiàn)良好機(jī)械焊點(diǎn)
LFPAK銅夾技術(shù)：
- 提高可靠性，降低了Rth和RDSon
- 提高最大電流能力并改進(jìn)了電流分布
封裝選項(xiàng)
- LFPAK56E
- LFPAK56