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SI2301CDS-T1-GE3 分立半導體產(chǎn)品 FET-單 SOT-23

  • SI2301CDS-T1-GE3請詢價2026-05-30 05:41
  • SOT-23
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供應商信息

深圳市恒科翔業(yè)科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：未審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Altera Maxim ST Ti Xilinx
  • 聯(lián)　系人：黃小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-83203950
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13691998603
  • 地　　址：華強北路新華強廣場B座27D
SI2301CDS-T1-GE3數(shù)據(jù)手冊
SI2301CDS-T1-GE3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術
Si
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
20 V
Id-連續(xù)漏極電流
3.1 A
Rds On-漏源導通電阻
112 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
400 mV
Vgs - 柵極-源極電壓
4.5 V
Qg-柵極電荷
10 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標名
TrenchFET
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
系列
SI2
晶體管類型
1 P-Channel
商標
Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值
9.5 S
下降時間
10 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
35 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關閉延遲時間
30 ns
典型接通延遲時間
11 ns
零件號別名
SI2301CDS-GE3
單位重量
8 mg
商品詳情

制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號
SI2301CDS-T1-GE3
描述
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝-P-溝道-20V-3.1A（Tc）-860mW（Ta）-1.6W（Tc）-SOT-23-3（TO-236）
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 3.1A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds _disibledevent="font-size:14px;">

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