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SI2302CDS-T1-GE3 Vishay FET單 MOSFET N 通道

  • SI2302CDS-T1-GE3請詢價2026-05-17 05:34
  • VishaY
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供應(yīng)商信息

深圳市恒科翔業(yè)科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：未審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Altera Maxim ST Ti Xilinx
  • 聯(lián)　系人：黃小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-83203950
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13691998603
  • 地　　址：華強北路新華強廣場B座27D
SI2302CDS-T1-GE3數(shù)據(jù)手冊
SI2302CDS-T1-GE3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
20 V
Id-連續(xù)漏極電流
2.9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
57 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
400 mV
Vgs - 柵極-源極電壓
4.5 V
Qg-柵極電荷
5.5 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
860 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標(biāo)名
TrenchFET
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
1.45 mm
長度
2.9 mm
系列
SI2
晶體管類型
1 N-Channel
寬度
1.6 mm
商標(biāo)
Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值
13 S
下降時間
7 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
7 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間
30 ns
典型接通延遲時間
8 ns
零件號別名
SI2302CDS-GE3
單位重量
8 mg
商品詳情

制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號
SI2302CDS-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
對無鉛要求的達標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝-N-溝道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 2.6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds _disibledevent="font-size:14px;"> 本公司從事于電子行業(yè)多年來，以“誠實守信、質(zhì)量第一、價格合理、交貨快捷”為宗旨，秉承著“實力雄厚，資源充足，庫存真實”的優(yōu)勢，憑著良好的信譽和服務(wù)態(tài)度博得眾多客戶的信賴與支持!本公司愿與各界朋友攜手合作，互惠互利，共創(chuàng)未來！


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