EBC15DEYH
EBC15DEYI
EBC15DEYN
EBC15DEYS
EBC15DRTH
EBC15DRXH
EBC15DRXN
EBC15HETH
EBC15HETI
EBC15HETN
EBC15HETS
EBC15HEYH
EBC15HEYI
EBC15HEYN
EBC15HEYS
EBC15MMMD
EBC15MMSD
EBC15MMWD
EBC17DEYH
EBC17DEYN
EBC17DEYS
EBC17HCSN
EBC17HETH
EBC17HETI
EBC17HETN
EBC17HETS
EBC17HEYH
EBC17HEYI
EBC17HEYN
EBC17HEYS
EBC18DCWN-S371
EBC18DEYH
EBC18DEYN
EBC18DEYS
EBC18DRAS
EBC18DREH
EBC18DRXH
EBC18HETH
EBC18HETI
EBC18HETN
EBC18HETS
EBC18HEYH
EBC18HEYI
EBC18HEYN
EBC18HEYS
EBC18MMRN
EBC18MMWD
EBC19DEYH
EBC19DEYN
EBC19DEYS
EBC19HETH
EBC19HETN
EBC19HETS
EBC19HEYH
EBC19HEYI
EBC19HEYN
EBC19HEYS
EBC20DEYH
EBC20DEYN
EBC20DEYS
EBC20DRAS
EBC20DRTH
EBC20DRXH
EBC20HETH
EBC20HETN
EBC20HETS
EBC20HEYH
EBC20HEYI
EBC20HEYN
EBC20HEYS
EBC20MMWD
EBC22DEYH
EBC22DEYN
EBC22DRAS
EBC22HETH
EBC22HETN
EBC22HETS
EBC22HEYH
EBC22HEYI
EBC22HEYN
EBC22HEYS
EBC25DCWN
EBC25DEYH
EBC25DEYN
EBC25DRSH
EBC25DRXH
EBC25HETH
EBC25HETN
EBC25HEYH
EBC25HEYI
EBC25HEYN
EBC25HEYS
EBC25MMMD
EBC26HETH
EBC26HETN
EBC26HEYH
EBC26HEYI
EBC26HEYN
EBC26HEYS
EBC28HEYH
全球知名制造商ROHM（總部位于日本京都）開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，該系列產(chǎn)品可確保部件安裝后的可靠性，且符合電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101，是確保車規(guī)級品質(zhì)的高可靠性產(chǎn)品。另外，產(chǎn)品采用了ROHM獨有的封裝加工技術，非常有助于對品質(zhì)要求高的高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）攝像頭模塊等汽車電子的小型化。
RV4xxx系列已于2019年5月份開始出售樣品（樣品價格 100日元／個，不含稅），預計于2019年9月開始暫以月產(chǎn)10萬個規(guī)模投入量產(chǎn)。
近年來，ADAS不可或缺的車載攝像頭，受安裝空間的限制，對所配置部件的小型化要求越來越高。為滿足這些市場需求，在保持大電流的前提下，有望進一步實現(xiàn)小型化的底部電極封裝MOSFET備受矚目。
另一方面，對于電子產(chǎn)品，為確?？煽啃?，會在產(chǎn)品安裝后進行外觀檢測※1），但由于底部電極封裝在側(cè)面沒有充分形成穩(wěn)定的焊接面，因此無法確保汽車電子需要的焊料高度，并且很難確認安裝后的焊接狀態(tài)，這是長期以來存在的課題。
ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在內(nèi)的行業(yè)領先產(chǎn)品的開發(fā)，并創(chuàng)造了傲人業(yè)績。此次，通過引入ROHM獨有工藝方法的 Wettable Flank成型技術※2），底面電極封裝也能形成焊接面。作為首家※保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度，因此可在產(chǎn)品安裝后的外觀檢測中可以充分確認焊接狀態(tài)。
未來，ROHM會充分運用Wettable Flank成型技術優(yōu)勢，繼續(xù)開發(fā)小型封裝技術，并將技術優(yōu)勢從MOSFET擴展到雙極晶體管和產(chǎn)品，持續(xù)擴充追求小型高可靠性的產(chǎn)品陣容。
※截至2019年7月23日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)
＜特點＞
1.利用融入ROHM獨有工藝方法的Wettable Flank成型技術，保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度
Wettable Flank成型技術是在封裝側(cè)面的引線框架部加入切割再進行電鍍的技術。但是，引線框架切割高度越高越容易產(chǎn)生毛刺。
為此，ROHM開發(fā)出獨有的工藝方法，在引線框架整個表面上設置了用來減少毛刺的阻擋層。這可以防止產(chǎn)品安裝時的傾斜和焊接不良，而且作為DFN1616封裝產(chǎn)品（1.6mm×1.6mm），首家保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度。
2．替換為小型底部電極 MOSFET，削減安裝面積
以往ADAS攝像頭模塊的反接保護電路主要采用肖特基勢壘（SBD）。但是，隨著攝像頭的分辨率日益提高，在超大電流化方向發(fā)展的車載市場，由于小型底部電極MOSFET具有導通電阻低且可減少發(fā)熱量的特點，替換掉SBD已經(jīng)是大勢所趨。
例如電流2.0A、功耗0.6W時，在車載市場被廣為使用的帶引腳封裝MOSFET，與SBD相比，可削減30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET，由于是底部電極，散熱性更好，不僅可實現(xiàn)小型化，還可實現(xiàn)大電流化。因此，與傳統(tǒng)的SBD相比，其安裝面積可削減78%，與普通的MOSFET相比，其安裝面積可削減68%。
＜產(chǎn)品陣容＞
＜術語解說＞
※1）外觀檢測
也稱自動光學檢查或AOI（Automated Optical Inspection）。例如，用攝像頭掃描電路板，以檢查部件缺陷和品質(zhì)缺陷、焊接狀態(tài)等。
※2）Wettable Flank技術
在QFN和DFN等底部電極封裝的側(cè)面引線框架部加入切割再進行電鍍加工，在側(cè)面也形成電極的技術。