FF400R33KF2C數(shù)據(jù)表
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: N
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 3300 V
集電極—射極飽和電壓: 3.4 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 660 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4.8 kW
封裝 / 箱體: IHM
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 38 mm
長度: 140 mm
寬度: 130 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
安裝風(fēng)格: Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量: 2
子類別: IGBTs
零件號別名: FF400R33KF2CNOSA1 SP000100614
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