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BSM200GB120DN2 全新原裝正品 特價優(yōu)勢產(chǎn)品 歡迎來電咨詢！

  • BSM200GB120DN24952026-05-23 05:24
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供應(yīng)商信息

深圳市斌騰達(dá)科技有限公司

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    10

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Freescale NXP Rohm Vishay Xilinx
  • 聯(lián)　系人：趙小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-82815082
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：13049883113
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)501棟518
BSM200GB120DN2數(shù)據(jù)手冊
BSM200GB120DN2參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
RoHS
是
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
290 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
Pd-功率耗散
1.4 kW
封裝 / 箱體
Half Bridge2
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 150 C
封裝
Tray
高度
30 mm
長度
106.4 mm
寬度
61.4 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
安裝風(fēng)格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類別
IGBTs
零件號別名
BSM200GB120DN2HOSA1 SP000014913
商品詳情

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